| 以Ｎ沟道增强型ＭＯＳ管为例来说明。当漏源之间接上+VDS时，从源-沟道-漏组成的Ｎ型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+VDS，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道在不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅-漏电位差VGS＝VDS＝VGS（th）时，漏端预夹断。这个夹断区成了漏源间电流通路上电阻最大的区。VDS的任何进一步增加就必然会集中降在这里，使预夹断区具有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域，在预夹断区左边还有Ｎ沟道，这些自由电子仍可在沟道中漂移，在到达预夹断区时，就受夹断区强电场的吸引，滑入漏区。所以，在漏端预夹断后，漏源之间仍有漏极电流ID。 |
阻容降压电路结构原理图解
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GMT+8, 2023-4-15 19:54
