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双极型半导体三极管的特性曲线

2015-1-14 08:22| 编辑:电工学习网| 查看: 7513| 评论: 0

共发射极接法三极管的特性曲线,即

  其中, iB是输入电流,vBE是输入电压,加在B、E两电极之间;iC是输出电流,vCE是输出电压,从C、E两电极取出。
  共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图1所示。

图1 共发射接法的电压电流关系
图2
  1.输入特性曲线
  简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iBvBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。vCE的影响可以用三极管的内部的反馈作用解释,即vCEiB的影响。
图3
 

共发射极接法的输入特性曲线见图2,其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时, vCBvCEvBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时,曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致,右移不明显说明内部反馈很小。
  输入特性曲线的分区:死区、非线性区、线性区。

  2.输出特性曲线
  共发射极接法的输出特性曲线如图3所示,它是以iB参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明。当vCE=0V时,因集电极无收集作用,ic=0。当vCE微微增大时,发射结虽处于正向电压之下,但集电结反偏电压很小,如vCE<1 V;vBE=0.7 V; vCBvCEvBE≤0.7V 。集电区收集电子的能力很弱,ic主要由vCE决定。当vCE增加到使集电结反偏电压较大时,如vCE ≥1V,vBE≥0.7 V,运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集,此后vCE再增加,电流也没有明显的增加,特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域 (这与输入特性曲线随vCE增大而右移的原因是一致的) 。

  输出特性曲线可以分为三个区域:
  饱和区--iCvCE显著控制的区域,该区域内vCE的数值较小,一般vCE<0.7 V(硅管)。此时发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。
  截止区--iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。
  放大区--iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏,电压大于0.7 V左右(硅管)

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