场效应管是一种半导体器件,与第二章介绍的晶体管类似,器件内部也有两个PN结,器件外部也有三个电极(源极s、栅极g和漏极d)。
场效应管按照结构和控制电场的形式,有结型和绝缘栅型两大类型。结型的栅极与硅材料直接接触,控制电场是PN结的内电场;绝缘栅型的栅极与硅材料之间隔有绝缘层(SiO2),不直接接触,控制电场是外电压产生的表面电场。 场效应管按照工作方式,有耗尽型和增强型之分。耗尽型:在外加电压为零时,管内有固定的导电沟道,随外加电压的绝对值增大,导电沟道逐渐消失(耗尽);增强型:在外加电压为零时,管内没有导电沟道,当外加电压的绝对值增大到一定程度后,导电沟道逐渐形成(增强)。 场效应管按照导电沟道的掺杂类型,有N沟道和P沟道。两者的外加电压极性相反。 |
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GMT+8, 2023-5-20 20:05