半导体二极管的V–I 特性如图所示。下面对V–I 特性分三部分加以说明。
二极管的V–I 特性曲线 1.正向特性 正向特性表现为图中的①段。此时正向电压较小,正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压(该电压硅管约为0.5V,锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时,内电场削弱,电流因而迅速增长,呈现出很小的正向电阻。 2.反向特性 反向特性表现为如图中的②段。由于是少数载流子形成的反向饱和电流,所以其数值很小。但温度对它影响很大,当温度升高时,反向电流将随之增加。 3.反向击穿特性 反向击穿特性对应于图中③段,当反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加,二极管被反向击穿。其原因和PN击穿相同。
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