一、稳定工作点的措施 1. 针对ICBO的影响,可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。 2. 针对VBE的影响,可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。 二、射极偏置电路稳定工作点的原理 射极偏置电路如图1所示,其直流通路如图2所示。 电路参数选择使电路满足I1>>IB条件,可得 VB » Rb2VCC/(Rb1+ Rb2) 当温度上升® IC(IE)增加® IERe增加® VBE减小(因VBE=VB–IERe,而VB一定)® IB自动减小® 结果牵制了IC的增加,IC 基本恒定 设计此种电路时,一般可选取:I1=(5~10)IB (硅管) I1=(10~20)IB (锗管) VB=(3~5)V (硅管) VB=(1~3)V (锗管) 由上面的分析可知,BJT参数ICBO、VBE、b均随温度变化,对Q点的影响,最终都表现在使Q点电流IC变化。从这一现象出发,在温度变化时,如果能设法使IC近似维持恒定,问题就可得到解决。如可采取两方面的措施: (1)针对ICBO的影响,可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。 (2)针对VBE的影响,可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。 射极偏置电路是可实现上面两点设想的电路。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的:利用Rb1和Rb2组成的分压器以固定基极电位。如果I1>>IB(I1是流经Rb1、Rb2的电流),就可近似地认为基极电位VB» Rb2VCC/(Rb1+ Rb2)。在此条件下,当温度上升时,IC(IE)将增加,由于IE的增加,在Re上产生的压降IERe也要增加,IERe的增加部分回送到基极-发射极回路去控制VBE,使外加于管子的VBE减小(因VBE=VB–IERe,而VB又被Rb1和Rb2所固定),由于VBE的减小使IB自动减小,结果牵制了IC的增加,从而使IC基本恒定。 由上述分析可知,I1愈大于IB、VB愈大于VBE,则该电路稳定工作点的效果愈好。为兼顾其他指标,设计此种电路时,一般可选取 I1=(5~10)IB (硅管) I1=(10~20)IB (锗管) VB=(3~5)V (硅管) VB=(1~3)V (锗管) |
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GMT+8, 2023-5-9 02:22