1、BJT高频小信号模型的提出: 根据BJT的特性方程,推导出的H参数低频小信号模型在高频运用的情况下,其物理过程有些差异,主要表现在BJT的极间电容不可忽略。为此,我们从BJT的物理机构出发加以分析,再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程,从而得出BJT的高频小信号模型,如图1所示。现就此模型中的各个元件参数作一简要的说明。 2、BJT的高频小信号模型: 在图示的BJT的高频小信号模型中
rbb¢ ——基区体电阻。 rb¢e ——发射结的小信号电阻,由于发射结正偏,rb¢e很小。 Cb¢e ——发射结电容。 rb¢c ——集电结反偏小信号电阻(图中未画出)。 Cb¢c——集电结电容。 ——受控电流源 ,它受 所控制。gm称为互导,定义为 。 rce ——受控电流源的电阻(图中未画出)。 在高频情况下,rb¢c 的数值很大,可以忽略不计; 一般 ,因此,rce也略去。 |
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GMT+8, 2023-3-22 16:25