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硅稳压二极管稳压电路的原理

2015-7-12 10:33| 编辑:电工学习网| 查看: 15042| 评论: 0

    硅稳压二极管稳压电路的电路图如图所示。它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的,由于反向特性陡直,较大的电流变化,只会引起较小的电压变化。
图 硅稳压二极管稳压电路

  ⑴. 当输入电压变化时如何稳压
    根据电路图可知
                   
                   
    输入电压VI的增加,必然引起VO的增加,即VZ增加,从而使IZ增加,IR增加,使VR增加,从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下:
       
          
    这里VO减小应理解为,由于输入电压VI的增加,在稳压二极管的调节下,使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的,这是一个有差调节系统。
  ⑵. 当负载电流变化时如何稳压
    负载电流IO的增加,必然引起IR的增加,即VR增加,从而使VZVO减小,IZ减小。IZ的减小必然使IR减小,VR减小,从而使输出电压=VO增加。这一稳压过程可概括如下:
      

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