增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD;耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。
其他MOS管符号
2、工作原理(以N沟道增强型为例)
(1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。
(2) VGS>0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。
VT:开启电压,在VDS作
(4) VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。
场效应管的转移特性曲线动画
4、其它类型MOS管
(2)P沟道增强型:VGS = 0时,ID = 0开启电压小于零,所以只有当VGS < 0时管子才能工作。
(3)P沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0 时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
5、场效应管的主要参数
在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。 |
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GMT+8, 2023-3-19 02:34