2014-12-3 08:21| 编辑:电工学习网| 查看: 7309| 评论: 0
IGBT的结构 IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管,寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽,因此可以阻断很高的反向电压。
IGBT的结构、符号及等效电路
电工学习网 ( )
GMT+8, 2023-4-18 20:53
Powered by © 2011-2022 www.shop-samurai.com 版权所有 免责声明 不良信息举报
技术驱动未来! 电工学习网—专业电工基础知识、电工技术学习网站。
栏目导航: 工控家园 | 三菱plc | 西门子plc | 欧姆龙plc | plc视频教程