1.结构 单结晶体管也是一种半导体器件。它的外形和普通三极管相似,同样有三个电极,但在结构上却只有一个PN结,故称为单结晶体管。如图1所示,它是在一块低掺杂(高电阻率)的N型硅基片一侧的两端各引出一个电极,称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片的另一侧较靠近B2处利用半导体工艺掺入P型杂质,形成一个PN结,引出电极称为发射极E。单结晶体管的发射极与任一基极之间都存在着单向导电性。这样,我们可将单结晶体管看成是一个二极管D和两个电阻RB1、 RB2的等效电路。其中RB1和RB2分别为两个基极至PN结之间的电阻。两基极之间的电阻RBB= RB+RB2,一般约有 2~15 kΩ。
我们可将单结晶体管按图2的电路连接,通过实验来观察其工作特性。
单结晶体管工作时,需要在两个基极间加直流电压VBB,且B2接正极,B1接负极。在发射极不加电压时,RB1两端分得电压为 分压比是单结晶体管的一个重要参数,其值与管子结构有关,一般在0.5~0.9之间。 |
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GMT+8, 2023-6-12 02:20