当uGS=0时,就有导电沟道存在,故而这种管子也属于耗尽型场效应管。
N沟道结型场效应管: 两个P+区中间的N型半导体,在加上正向uDS电压时就有电流流过,故称为N沟道。 (一)工作原理 1. uGS对导电沟道的影响:
栅源级间加反向电压 改变uGS的大小,就可以改变沟道宽窄,即改变沟道的电阻,从而控制iD的大小。这与绝缘栅场效应管是一样的。 2. uDS对导电沟道的影响:
漏源级间加正向电压 漏级电位最高,PN结最宽,源级电位最低,PN结最窄。随着uDS增大,PN结加宽,将产生预夹断。 uDS再增大,夹断区向下发展。 (二)特性曲线:
|