N沟道增强型MOSFET

1、结构和符号

栅极与其他两个电极是相互绝缘的

间断线表示栅源电压v_GS=0时，

FET内部不存在导电沟道

箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)

2、工作原理

（1）栅源电压V_GS的控制作用

1）当V_GS=0时：漏源间没有导电的沟道，i_D=0

     S、D之间相当于两个背靠背的二极管，故不管V_DS极性如何，总有一个二极管是反偏的，无电流流过。

    2）当v_GS >0时，产生电场，排斥空穴，吸引电子，电子与空穴相复合形成耗尽层。

    3）当v_GS 增大到某一个值（开启电压V_T）时， 电场吸引更多电子到衬底表面，形成N型导电薄层，称为反型层。即v_GS=V_T时，导电沟道开始形成。

4）v_GS > V_T 后：v_GS ↑→沟道厚度 ↑→沟道电阻↓→I_D↑, 实现了电压控制电流。

    这种在V_GS=0时没有导电沟道，只有当V_GS＞V_T后才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。

（2） v_DS对 i_D的影响

设v_GS>V_T 且为一常数

电位 S ← D   S ← D

          低←高  宽 ←窄

VDS = VGS- VT

有导电沟道的条件

v_GD= v_GS-v_DS > V_T

v_DS< v_GS- V_T

v_DS↑→r_DS↑(慢)→i_D↑

当VDS继续增加，满足

VGD= VGS-VDS =VT时，漏端导

电沟道开始夹断，称为预夹断。

VD_S = V_GS- V_T .预夹断后，i_D几乎不变

3、特性曲线

（1）输出特性

VGS < VＴ全夹断状态

 ( 2 ) 转移特性