N沟道耗尽型MOS管

1、结构和符号

v_GS ↓→导电沟道 ↓v_GS≤ V_P  →沟道夹断

2、特性曲线

(1)输出特性  i_D=f (v_GS)½v_DS=常数

(2)转移特性       i_D=f (v_GS)½v_DS=常数

增强型MOS管特性曲线小结

耗尽型MOS管特性曲线小结

双极型三极管与场效应三极管的比较

                 双极型三极管                   场效应三极管

  结构                 NPN型                   结型     N沟道 P沟道     

   与                    PNP型           绝缘栅  增强型   N沟道 P沟道

  分类              C与E一般不可      绝缘栅  耗尽型   N沟道 P沟道

                        倒置使用              D与S有的型号可倒置使用

 载流子        多子扩散少子漂移                    多子漂移

 输入量             电流输入                       电压输入

  控制             电流控制电流源                  电压控制电流源

  噪声               较大                            较小

温度特性       受温度影响较大            较小，且有零温度系数点

输入电阻        几十到几千欧姆                   几兆欧姆以上

静电影响        不受静电影响                     易受静电影响

集成工艺       不易大规模集成           适宜大规模和超大规模集成

使用MOSFET中注意事项

1. 结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。
2. 原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意，不使用时须将各电极短路。
3. MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或断电后余热焊接。
4. 结型场效应管的栅源电压不能接反。