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CMOS逻辑门电路的技术参数

2015-1-27 07:57| 编辑:电工学习网| 查看: 15231| 评论: 0

    CMOS逻辑集成器件从20世纪60年代末发展至今,由于制造工艺的不断发展,它的技术参数从整体上来说已经接近TTL器件的水平,其中某些参数优于TTL器件。例如,CMOS器件的功耗低、扇出数大,噪声容限大,这些均是由于CMOS器件固有特性所决定的。但也应注意到,这里讲的功耗低是指静态功耗(微瓦量级)而言。实际上,因为它的输入电容约为10pF,当工作频率较高时,其动态功耗随频率的增加而增加,其值可达LSTTL量级。
    最早的CMOS器件为4000系列(1967年)。随后出现的74C系列,引脚编号与TTL兼容,但因输入和输出电压值仍不兼容,因而这种系列未能得到推广。由于CMOS工艺的重大突破,一种新型的高速CMOS器件系列诞生,这就是74HC系列。这类器件不仅功耗低,而且在相同电源电压VCC的条件下,其噪声容限约为TTL电路的两倍。它的平均传输延迟时间每门可小到6~10ns。这种速度与基本的TTL或LSTTL门电路相当。此外,尚有与TTL兼容的新系列,即74HCT系列和74BCT(BiCMOS)系列等。表1列出了上述CMOS器件的主要参数,以便于与TTL器件系列相比较。
表1  CMOS门电路各种系列的性能比较
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