如果把分立元件电路中的半导体器件、电阻、电容及导线等都制造在一个半导体基片(通常是硅片)上,构成一个完整的电路,封装在一个管壳内,就是集成门电路。基于半导体工艺的特点,集成电路中管子制造较容易,占芯片面积小,但电容和高阻值电阻制造较困难,占芯片面积较大。因此,在数字集成电路中,一般都避免使用电容和高阻值电阻,往往多用管子。 数字集成电路可以分成两大类:一类以双极型晶体管为基本器件,称为双极型数字集成电路,属于这一类的有TTL等;另一类以 MOS晶体管为基本器件,称为 MOS型(或单极型)数字集成电路,属于这一类的有 NMOS和CMOS等。详见表 按照集成度(即每一片硅片中所含元、器件数)的高低,可将集成电路分成小规模集成电路(small scale Integration,简称SSI),中规模集成电路( Medium Scale Integration,简称MSI),大规模集成电路( Large Scale Integration,简称LSI)和超大规模集成电路 (Very Large Scale Integration,简称VLSI)。 电路组成:Ⅰ:输入级 V1多发射极管 Ⅱ:中间级(倒相级) V2 R2 R3 Ⅲ:输出级 V3 V4为射极输出器与V5构成推拉式输出级 ①输入有低电平0.3V时,K点电位为1V,V 1导通,V2、 V5截止,V3 、V4导通。(F为3.6V高电平。) a.电压传输特性 工作区 1,AB段:UI <0.6V 且UO=UOH 2,DE段:UI >1.5V 且UO=UOL饱和区 线形区 3,BC段:0.6v<UI<1.3V 则UI↑UO↓( V5截止) 转折区4。CD段:1.3V<UI<1.5V UI↑UO ↓ (利用之可构成振荡电路。如产生矩形波) b.关门电平、开门电平和阈值电压 3.噪声容限搞干扰能力 |
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GMT+8, 2023-4-5 08:16