80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期,它工作于微处理器的增益模式下。经适当编程后,RCU将向将处理器的BIU(总线接口)单元产生存储器读请求。对微处理器的存储器范围编程后,BIU单元执行刷新周期时,被编程的存储器范围片选有效。 存储器是嵌入式计算机系统的重要组成部分之一。通常采用静态存储器,但是在系统需要大容量存储器的情况下,这种方式将使成本猛增。如果采用DRAM存储器,则可以大幅度降低系统设计成本;但DRAM有复杂的时序要求,给系统设计带来了很大的困难。 为了方便地使用DRAM,降低系统成本,本文提出一种新颖的解决方案:利用80C186XL的时序特征,采用CPLD技术,并使用VHDL语言设计实现DRAM控制器。 80C186XL RCU单元的资源 设计者可将刷新总线周期看成是“伪读”周期。刷新周期像普通读周期一样出现在80C186XL总线上,只是没有数据传输。从引脚BHE/RFSH和A0的状态可以判别刷新周期,如表1所列。刷新总线周期的时序要求如图2所示。 |
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GMT+8, 2023-8-27 23:40