一、汤逊理论 1.非自恃放电与自持放电 OA:电压 电流 AB:稳定,外电离因素产里的带电质点分部落入电极,少隙和电流密度小,绝缘状态。 BC:新的电离——电子碰撞电离。 非自恃放电:外施电压小于Uo,间隙电流极小,取消外电离因素,电流消失。 自恃放电:Uo以后的放电,Uo后气体强烈电离,且电离过程可只靠电场作用自行维恃,不再需要光照等外电离因素。 C分界点,Uo击穿电压。 2.电子崩及电子电离系数 外电离因素使明极出现一个自由电子(光电效应),电场作用加建——碰撞电离——正离子;两自由电子,新的碰撞电离。 电子数20,21,22……2n雪崩增加。 电子崩:因碰撞电离使自由电子数不断增加的想象。 电子崩过程——a过程,a碰撞电离系数 定义:一个电子沿电场方向行径1cm长度,平均发生的碰撞电离次数。曲路电流 I=Ioe2d I1=Ioe2d1 I2=Ioe2d2 I2-I1取对 图1-5单对数坐标,I-d直线,斜率 每次碰撞产生一个新电子,则a为单位行程内新电高出的电子数。 非自恃放电电流变化规律用电子碰撞电离过程解释。 分析a假设: ① 电子动能小于气体电离能,碰撞的产生电离。 ② 电子动能大于气体电离能,碰撞产生电离。 ③ 每次碰撞,不论是否造成电离,电子都失去全部动能,从0开始重新加速,两次碰撞间电子沿电场方风吹草动直线运动。 1cm内,140平均碰撞次数 ,行程x≥xi发生电离,碰撞电离条件≥Wi 即 自由行程分布服从统计规律,关于xi概率,或记为 则电离系数 自由行程 ,空气相对密度 Po.To标准参考大气条件下的气体压力和气体分子温度则A常数的单变量函数 又 因此:令常数 得 反映每次碰撞平均产生的电子数,电离概率 反映电子在平均自由行程上由电场获得的能量 过程——正离子引起电离 3.过程与自恃放电条件 过程:电极空间的碰撞电离 过程:正离子及光子在阴极表面激发出电子,引起阴极表面电离 阴极材料逸出功比气体分子电离能小得多,正负离子复合,分子由激励态跃迁回常态,产生光子,引起阴级表面电离 :折算到每个碰撞阴极的正离子中在阴极释出的自由电子数。光电离阴极产生一个电子过程 阳极电子数,每次电离撞出一个正离子,电极空间正离子,这些正离子到达阴极表面,撞出电子,电子在电极空间碰撞产生,更多正离子循环。 阴极发射一个电子,阳极表面进入z个电子 级数收敛为 单位时间内阴极表面单位面积有个起始电子逸出,稳态后,单位时间进入阳极单位面积电子数 回路中电流 过程使电流的增长指数规律还快 d 小电场弱时,过程忽略不计 I、d实验曲线决定 或不可能 实际上意味间隙被击穿,由外回路决定,不依赖外地离因素,由电压自动维持。 自持放电条件或 物理解释:一个电子自己进入阳极后,、过程,在阴极上产生一个新的替身,天需外电离因素可继结下去。 与材料逸出功相关 而且放电显然与电极材料及表面状态有关。 二、巴申定律与均匀电场击穿电压 1、巴申定律或击穿电压 图1-7空气间隙的曲线,非单调函数,U形曲线,有极小值。 不同气体及对应的不同 极小值不出现在常态,而是出现在低气压,空气相对密度很小的情况下 2.均匀电场的击穿电压 代入自持放电条件 达至自持放电E=Eb击穿场强得 由材料决定,但两次取对数,对Ub影响不了,常数,论以(1-22) 汤逊理论佐证巴申定律 巴申定律以实验结果支持汤逊定理。 (1-21)两边对求导,令导数为O 理论,实验都说明Ub有极小值 U形曲线右半支,Ub随上升增加, 电离减弱 电子石易积累能量,电离 左半支:主要是 ——电子平均行程个,积累的能量但空气密度低,分子数量少;机会少;电子追不到分子,撞进电极了。 大 小 高气压、高真空都可以提高击穿电压,工程上广泛使用。 会不会天限提高——不可能——声强高——强场发射,而且高能电子撞阳极,阳极表面气化。 另得 小即小,电子来不及碰撞应进入阳极 大即大,碰撞次数多 三、汤逊放电理论的适用范围 汤逊理论在坐低气压,较小的条件下在放电实验的基础上建立,过小或过大,放电机理将变化,不再适用, 过小——气压极低(d不会过小) 小小即大, 》d来不及碰撞电离,U 一定程度——场致发射导致击穿,碰撞电离理论不适用。 大——气压高,或d大,现象天使用汤逊理论解释 (1)放电外形:具有分支的细通道,汤逊理论,放电在全空间连续进行,辉光——电子崩 (2)放电时间:电子崩几个循队完成击穿,可计算时间,低气压计算符合实况,高压时,实测小于计算。 (3)击穿电压:小,Ub计算值与实验值一致,大不一致 (4)阴极材料:低气压下击穿电压与材料、文气压下则无关。 >0.26cm(pd>200cm.mmHg),汤逊理论计算结果不再适用。 汤逊理论是将电流很小的滑流过程理论化,忽略了空间比荷的影响,d.较大时,不能忽略电子崩对电场的畸变。
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