半导体三极管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1.共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB ≈ IC / IB|vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上,通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB ,如图1所示。在IC较小时和IC较大时,会有所减小,这一关系见图2。
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图 1 在输出特性曲线上决定 |
图2 值与IC的关系 |
2.集电极-基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极,O 是Open的字头,代表第三个电极 E 开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 2.集电极-发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=(1+)ICBO 相当基极开路时,集电极和发射极间的反向饱和电流,即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值,如图3所示。
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图3 ICEO在输出特性曲线上的位置 |
3.共发射极交流电流放大系数β b =DIC/DIB½ 在放大区,b 值基本不变,可在共射接法输出特性曲线上,通过垂直于 X 轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b 。具体方法如图4所示。
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图4 在输出特性曲线上求取β |
4、 集电极最大允许电流ICM 如图2所示,当集电极电流增加时,b 就要下降,当b 值下降到线性放大区b 值的70~30%时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于b 值下降多少,不同型号的三极管,不同的厂家的规定有所差别。可见,当IC>ICM时,并不表示三极管会损坏。 5、 集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗,PCM= ICVCB≈ ICVCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 6、 反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力,其测试时的原理电路如图5所示。
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图5 三极管击穿电压的测试电路 | 1. V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标 BR 代表击穿之意,是Breakdown的字头,C、B代表集电极和基极,O 代表第三个电极 E 开路。 2. V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3. V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 对于 V(BR)CER表示 BE 间接有电阻, V(BR)CES表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系: V(BR)CBO≈ V(BR)CES> V(BR)CER> V(BR)CEO> V(BR)EBO 由最大集电极功率损耗 PCM、 ICM 和击穿电压 V(BR)CEO,在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过电流区和击穿区,见图6。
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图6 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 |
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